Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 18.8

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 46

Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи

14.3 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 19
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 18.8
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2991

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

Kingston 9905713-001.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

Kingston 9905625-142.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB

модули RAM