RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Kingston 9905625-142.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
50
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2737
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link