RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link