RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.9
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link