Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    19 left arrow 46
    En -142% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.4 left arrow 12.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.9 left arrow 7.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 19
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.2 left arrow 16.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.9 left arrow 14.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2072 left arrow 3521
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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