RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3521
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link