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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
46
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2636
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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