RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2427
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link