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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
3012
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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