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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
12.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
3012
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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