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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
46
En -84% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2481
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
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