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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
73
En 36% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
73
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
1744
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
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