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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
47
En -124% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3356
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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