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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
47
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3579
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
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