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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
34
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
32
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3061
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F3-17600CL9-2GBXMD 2GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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