RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
34
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
32
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
3061
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link