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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
47
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2971
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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