RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Compara
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.3
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.2
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
8500
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1480
1479
Samsung M471B1G73AH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link