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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3672
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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