RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
47
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3477
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link