RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
47
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3477
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link