RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
3110
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link