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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
47
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3262
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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