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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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规格
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
16.8
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3262
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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