RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
47
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3346
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Informar de un error
×
Bug description
Source link