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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
11.8
17.9
写入速度,GB/s
8.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3346
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
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