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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
47
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3373
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
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