RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
59
En -168% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2580
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link