RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
12.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
59
Intorno -168% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
22
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
2580
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link