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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
59
左右 -168% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
22
读取速度,GB/s
4,833.8
18.1
写入速度,GB/s
2,123.3
12.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2580
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
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