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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
47
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3297
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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