RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
47
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
3297
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link