RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
41
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
4095
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link