RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
41
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.8
9.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
18.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2366
4095
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B2G70DB0-CMA 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link