RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
47
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2713
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link