RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
47
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
31
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
2713
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link