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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
47
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
3099
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
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Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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