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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
47
En -88% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
47
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2892
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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