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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
15.0
写入速度,GB/s
8.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2892
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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