Comparación de la memoria RAM Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Puntuación global

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

47 56

En 16% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

20.1 11.8

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

10.5 8.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 12800

En 1.5 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2061 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns