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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Compara
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
46
47
En -2% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
46
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2061
2088
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
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