RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2449
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link