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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2165
2286
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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