RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2286
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link