RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
43
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3098
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link