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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2286
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
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Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 2
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0 ns
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