RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
42
En -75% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1933
2969
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link