Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Note globale
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Note globale
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    24 left arrow 42
    Autour de -75% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16.6 left arrow 12
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.6 left arrow 7.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 12800
    Autour de 1.5 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 24
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.0 left arrow 16.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 12.6
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1933 left arrow 2969
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons