RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de -28% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
40
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2031
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link