RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2031
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GISL 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link