RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.8
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
51
Около -28% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
40
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2031
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link